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莫大康:迎接存储器业的挑战

章鹰 ? 2018-06-19 09:27 ? 次阅读

中囯三大存储器厂,长江存储、晋华及合肥长鑫都已进入试产阶段,并计划2019年实现量产。这是中囯半导体业的一场存储器突围战,是零的突破。

中囯半导体业发展由于其独特的地位决定了它必须实现“自主可控?#34180;?#28982;而半导体业有它的规律,包括有两个主要方面,一个是摩尔定律推动,其精髓是技术必须迅速的进步,每18个月同样的产品其成本可能下降50%;以及另一个是实现量产,半导体是个高度规模经济的产业。因而在一定程度上这个产业需要大?#24247;?#25237;资,搜罗顶级的人材,以及生产线的严格管理。而这两个方面都与国?#19994;?#24037;业基础紧密相关连,显然在现阶段中国半导体业是不足的,因此产业的突围,可能需要时间上的积累。

尽管面临的困难重重,也不可能阻挡突围的决?#27169;?#22240;为中国存储器业突围存在不少的有利条件:

国家意志主导,加上政府,地方等齐动手,有充裕的?#24335;?#25903;持。

中国消耗全球20%的DRAM及25%的NAND,2017年中国进口存储器889.21亿美元,同比2016年的637.14亿美元增长了39.56%。

根据美光、三星、海力?#24247;?#36130;报统计,2017年,三家公司的半导体业务在中国营收?#30452;?#20026;103.88亿美元、253.86亿美元、89.08亿美元,总计446.8亿美元,同比2016财年的321亿美元增长39.16%。

三家厂,属于三个不同类别,?#30452;?#26159;长江存储的32层3D NAND闪存;晋华的32纳米、利基型DRAM,以及长鑫的19纳米先进型DRAM。

中国的IoT应用市场发展迅速,有著名的腾讯、百度与阿里巴巴等,它们推动5G、数据中心、互联网、车联网等应用。

存储器、控制器等配套产业链正在形成。

如何突围

按照存储器业的特点,中国把存储器芯片生产线打通是有把握的,然而困难的是产能爬坡的速率,也即产能由试产的5,000片至20,000,或者30,000片时,产品的良率,及成本,它直接决定了产能继续扩充的可能?#35029;?#22240;为通常产能必须扩充到50,000,或者100,000片时,芯片生产线才有可能实现盈利,但是此段过程可能相对用较长的时间。

在产能扩充的过程中,对手们不会轻易放过我们,一定会利用专利及价格战阻碍我们的突围。

对手们十?#26234;?#26970;,专利战的?#24247;?#22312;于阻碍中国存储器业的进步,如之前台积电打击中芯国际时,让您领军人物下台,以及赔款。

因此为了迎接专利战,必须学习上海中微半导体,从公司成立起就聘用美国律师,准备好一切材料准备好打专利战,并且不要抱有幻想,这一仗是不可避免的。

另一个是三星、美光惯用的产品价格战,它们占有先手的优势、产品的成熟、以及?#24335;?#20805;裕,因此在短时间内甚?#37327;?#26412;销售是常用的策?#35029;?#35753;我们的产品销售有困难。

因此中国存储器业面临的最大问题可能有两个方面,一个是不要轻敌,认为用不了几年就能突围成功,要把困难想得更多些,例如中国存储器的消耗量很大,依靠国家意志与支持就能生存下来,恐怕不能太?#35272;擔?#22240;为只有产品的性价比相近,才有生存的可能?#35029;?#22240;为国?#19994;?#36130;力有限;另一个是坚持下去,这个产业的发展经验告诉我们,只有坚持到底,才有可能立足,生存下?#30784;?#20170;天无论19纳米DRAM的良率提升与成本下降,以及32层3D NAND闪存向64层3D NAND闪存的技术过渡都需要时间上的积累,不可能一蹴而成。另外,由于没有经过真正的实践与体会,对于“板凳要坐十年冷?#20445;?#21487;能仅停留在概念上。当那个时刻真的?#25139;?#26102;,可能意想不到的各种困难会呈现,能坚持下来就一定十分不易。

较为乐观的估计,能用5年左?#19994;?#26102;间,达到全球市场(2018年存储器业产值预测可达1,500亿美元)占比的3% - 5%,也即DRAM与NAND的累加产?#30340;?#36798;到近50亿美元,表明中国存储器业的突围取得了初步的成功。

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基于模拟语音处理技术的电话遥控系统应用

数组的数据放不下stm32的flash想加外部存储器

如题 谢谢   单片机做web服务器  但是有个数组的数据放不下stm32的flash  想加外部存储器 但是不...
发表于 07-05 04:35 ? 291次 阅读
数组的数据放不下stm32的flash想加外部存储器

LE2416RLBXA EEPROM存储器,2线,串行接口,16 kbits(2k x 8位)

信息 LE2416RLBXA是一个2线串行接口EEPROM。它结合了我们公司的高性能CMOS EEPROM技术,实现了高速和高可靠性。该设备与I C内存协议兼容;因此,它最适合需要小规模可重写?#19988;资?#24615;参数存储器的应用。 单电源电压:1.7V至3.6V(读取) 擦除/写入周期: 10 循环(页面写入) 容量:16k位(2k x 8位) 工作温度:-40到+ 85°C 接口:双线串行接口(I C总线) 工作时钟频率:400kHz 低功?#27169;?待机:2μA(最大) 有效(读取):0.5mA(最大) 自动页面写入模式:16字节 读取模式:顺序读取和随机读取 数据保留期:20年 上拉电阻:WP引脚上带有内置上拉电阻的5kΩ(典型值) 高可靠性...
发表于 04-18 20:23 ? 8次 阅读
LE2416RLBXA EEPROM存储器,2线,串行接口,16 kbits(2k x 8位)

TLC5958 具有 48k 位存储器的 48 通道、16 位 PWM LED 驱动器

信息描述TLC5958 是一款 48 通道恒流灌电流驱动器,适用于占空比为 1 至 32 的多路?#20174;?#31995;?#22330;?每个通道都具有单独可调的 65536 步长脉宽调制 (PWM) 灰度 (GS)。采用 48K 位显示存储器以提升视觉刷新率,同时降低 GS 数据写入频率。输出通道分为三组,每组含 16 个通道。 各组都具有 512 步长颜色亮度控制 (CC) 功能。 全部 48 通道的最大电流值可通过 8 步长全?#33267;?#24230;控制 (BC) 功能设置。 CC 和 BC 可用于调节 LED 驱动器之间的亮度偏差。 可通过一个串行接口端口访问 GS、CC 和 BC 数据。如需应用手册?#28023;?#35831;通过电子邮件发送请求。TLC5958 有一个错误标志:LED 开路检测 (LOD),可通过串行接口端口读取。 TLC5958 还具有节电模式,可在全部输出关闭后将总流耗设为 0.8mA(典型值)。特性 48 通道恒流灌电流输出具有最大亮度控制 (BC)/最大颜色亮度控制 (CC) 数据的灌电流: 5VCC 时为 25mA 3.3VCC 时为 20mA 全?#33267;?#24230;控制 (BC):3 位(8 步长) 每个颜色组的颜色亮度控制 (CC):9 位(512 步长),三组使用多路?#20174;?#22686;强型光谱 (ES) PWM 进行灰度 (GS) 控制:16 位 支持 32 路多路?#20174;?#30340; 48K 位灰度数据...
发表于 04-18 20:08 ? 39次 阅读
TLC5958 具有 48k 位存储器的 48 通道、16 位 PWM LED 驱动器

TPS59116 全套 DDR、DDR2 和 DDR3 存储器功?#24335;?#20915;方案、用于嵌入式计算的同步降压控制器

信息描述 The TPS59116 provides a complete power supply for DDR/SSTL-2, DDR2/SSTL-18, and DDR3 memory systems. It integrates a synchronous buck controller with a 3-A sink/source tracking linear regulator and buffered low noise reference. The TPS59116 offers the lowest total solution cost in systems where space is at a premium. The TPS59116 synchronous controller runs fixed 400-kHz pseudo-constant frequency PWM with an adaptive on-time control that can be configured in D-CAP? Mode for ease of use and fastest transient response or in current mode to support ceramic output capacitors. The 3-A sink/source LDO maintains fast transient response only requiring 20-μF (2 × 10 μF) of ceramic output capacitance. In addition, the LDO supply input is available externally to significantly reduce the total power losses. The TPS59116 supports all of the sleep state controls placing VTT at high-Z in S3 (suspend to RAM) and dischargin...
发表于 04-18 20:05 ? 36次 阅读
TPS59116 全套 DDR、DDR2 和 DDR3 存储器功?#24335;?#20915;方案、用于嵌入式计算的同步降压控制器

TPS53317A 用于 DDR 存储器终端的 6A 输出 D-CAP+ 模式同步降压集成 FET 转换器

信息描述 TPS53317A 器件是一款设计为主要用于 DDR 终端的集成场效应晶体管 (FET) 同步降压稳压器。 它能够提供一个值为 ? VDDQ的经稳?#25925;?#20986;,此输出具有吸收电流和源电流功能。TPS53317A 器件采用 D-CAP+ 运行模式,简单?#23376;茫?#25152;需外部组件数较少并可提供快速瞬态响应。 该器件还可用于其他电流要求高达 6A 的负载点 (POL) 稳压应用。此外,该器件支?#24535;?#26377;严格电压调节功能的 6A 完整灌电流输出。该器件具有两种开关频率设定值(600kHz 和 1MHz),可提供集成压降支持、外部跟踪功能、预偏置启动、输出软放电、集成自举开关、电源正常功能、V5IN 引脚?#36153;?#38145;定 (UVLO) 保护功能,支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 电容。 该器件支持的输入电压最高可达 6V,而输出电压在 0.45V 至 2.0V ?#27573;?#20869;可调。TPS53317A 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装(绿色环保,符合 RoHS 标准并且无铅),其中应用了 TI 专有的集成 MOSFET 和封装技术,其额定运?#24418;?#24230;?#27573;?#20026; –40°C 至 85°C。特性 采用 TI 专有的集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和封装技术支持 DDR 内存...
发表于 04-18 20:05 ? 30次 阅读
TPS53317A 用于 DDR 存储器终端的 6A 输出 D-CAP+ 模式同步降压集成 FET 转换器

TPS51716 完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器功?#24335;?#20915;方案同步降压

信息描述 TPS51716 用最少总体成本和最小空间提供一个针对 DDR2,DDR3,DDR3L 和 LPDDR3 内存系统的完整电源。 它集成了同步降压稳压器控制器 (VDDQ),此控制器具有 2A 灌电流/拉电流跟踪 LDO (VTT) 和经缓冲的低噪声基准 (VTTREF)。 TPS51716 采用与 500kHz 或 670kHz 工作频率相耦合的 D-CAP2? 模式,此模式在无需外部补偿电路的情况下可支持陶瓷输出电容器。 VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度高达 0.8%。 能够提供 2A 灌电流/拉电流峰值电流功能的 VTT 只需 10μF 的陶瓷电容器。 此外,此器件特有一个专用的 LDO 电源输入。TPS51716 提供丰富、实用的功能以及出色的电源性能。 它支持灵活功率级控制,将 VTT 置于 S3 中的高阻抗状态并在 S4/S5 状态中将 VDDQ,VTT 和 VTTREF 放电(软关闭)。 它包括具有低侧 MOSFET RDS(接通)感测的可编程 OCL,OVP/UVP/UVLO 和热关断保护。TPS51716 从 TI 出厂时采用 20引脚,3mm x 3mm QFN 封装并且其额定环境温度?#27573;?#20171;于 -40°C 至 85°C 之间。特性 同步降压控制器 (VDDQ)转换电压?#27573;В?V 至 28V输出...
发表于 04-18 20:05 ? 35次 阅读
TPS51716 完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器功?#24335;?#20915;方案同步降压

TPS51216 DDR2/3/3L/4 存储器电源解决方案同步降压控制器,2A LDO,缓冲参考

信息描述 The TPS51216 provides a complete power supply for DDR2, DDR3 and DDR3L memory systems in the lowest total cost and minimum space. It integrates a synchronous buck regulator controller (VDDQ) with a 2-A sink/source tracking LDO (VTT) and buffered low noise reference (VTTREF). The TPS51216 employs D-CAP? mode coupled with 300 kHz/400 kHz frequencies for ease-of-use and fast transient response. The VTTREF tracks VDDQ/2 within excellent 0.8% accuracy. The VTT, which provides 2-A sink/source peak current capabilities, requires only 10-μF of ceramic capacitance. In addition, adedicated LDO supply input is available.The TPS51216 provides rich useful functions as well as excellent power supply performance. It supports flexible power state control, placing VTT at high-Z in S3 and discharging VDDQ, VTT and VTTREF (soft-off) in S4/S5 state. Programmable OCL with low-side MOSFET RDS(...
发表于 04-18 20:05 ? 60次 阅读
TPS51216 DDR2/3/3L/4 存储器电源解决方案同步降压控制器,2A LDO,缓冲参考

AD5175 单通道、1024位数?#30452;?#38459;器,配有I2C接口和50-TP存储器

信息优势和特点 单通道、1024位?#30452;?#29575; 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) I2C兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5175是一款单通道1024位数?#30452;?#38459;器,集业界领先的可变电阻性能与?#19988;资?#24615;存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5175的游标设置可通过I2C兼容型数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5175不需要任何外?#24247;缪?#28304;来帮助熔?#20808;?#19997;,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔?#20808;鬯恐?#20196;会将电阻位置固定(类似于将?#36153;?#26641;脂涂在机械式调整器上)。AD5175提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度?#27573;?#20026;?40°C至+125°C扩展...
发表于 04-18 19:35 ? 6次 阅读
AD5175 单通道、1024位数?#30452;?#38459;器,配有I2C接口和50-TP存储器

AD5174 单通道、1024位数?#30452;?#38459;器,配有SPI接口和50-TP存储器

信息优势和特点 单通道、1024位?#30452;?#29575; 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) SPI兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5174是一款单通道1024位数?#30452;?#38459;器,集业界领先的可变电阻性能与?#19988;资?#24615;存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。 该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5174的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5174不需要任何外?#24247;缪?#28304;来帮助熔?#20808;?#19997;,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔?#20808;鬯恐?#20196;会将电阻位置固定(类似于将?#36153;?#26641;脂涂在机械式调整器上)。AD5174提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度?#27573;?#20026;?40°C至+125°C扩展工业...
发表于 04-18 19:35 ? 8次 阅读
AD5174 单通道、1024位数?#30452;?#38459;器,配有SPI接口和50-TP存储器

AD5292 单通道、1%?#35828;?#31471;电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

信息优势和特点 单通道、256/1024位?#30452;?#29575; 标称电阻:20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 标称电阻容差误差(电阻性能模式):±1%(最大值) 20次可编程游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 分压器温度系数:5 ppm/°C +9V至+33V单电源供电 ±9V至±16.5V双电源供电 欲了解更多特?#35029;?#35831;参考数据手册 下载AD5292-EP (Rev 0)数据手册(pdf) 温度?#27573;В?55°C至+125°C 受控制造基线 唯一封装/测试厂 唯一制造厂 增强型产品变更通知 ?#29616;?#25968;据可应要求提供 V62/12616 DSCC图纸号产品详情AD5292是一款单通道1024位数字电位计1,集业界领先的可变电阻性能与?#19988;资?#24615;存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件能够在宽电压?#27573;?#20869;工作,支持±10.5 V至±16.5 V的双电源供电和+21 V至+33 V的单电源供电,同时确保?#35828;?#31471;电阻容差误差小于1%,并具有20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291和AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外?#24247;缪?#28304;来帮助熔?#20808;?#19997;,并提供20次永久编程的机...
发表于 04-18 19:31 ? 6次 阅读
AD5292 单通道、1%?#35828;?#31471;电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

AD5291 单通道、1%?#35828;?#31471;电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

信息优势和特点 单通道、256/1024位?#30452;?#29575; 标称电阻:20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校准的标称电阻容差:±1%(电阻性能模式) 20次可编程 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 温度系数(分压器模式):5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 单电源供电 ±9 V至±16.5 V 双电源供电 欲了解更多特?#35029;?#35831;参考数据手册 产品详情AD5291/AD5292属于ADI公司的digiPOT+? 电位计系列,?#30452;?#26159;单通道256/1024位数字电位计1 ,集业界领先的可变电阻性能与?#19988;资?#24615;存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件的工作电压?#27573;?#24456;宽,既可以采用±10.5 V至±16.5 V双电源供电,也可以采用+21 V至+33 V单电源供电,同时?#35828;?#31471;电阻容差误差小于1%,并提供20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291/AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外?#24247;缪?#28304;来帮助熔?#20808;?#19997;,并提供20次永久编程的机会。在20-TP激活期间,一个永久熔?#20808;鬯恐?#20196;会将游标位置固定(类似于将?#36153;?#26641;脂涂在机械式调整器上)。AD5291/AD52...
发表于 04-18 19:31 ? 0次 阅读
AD5291 单通道、1%?#35828;?#31471;电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

AD5253 四通道、64位、 I2C 、?#19988;资?#24615;存储器、数字电位计

信息优势和特点 四通道、64位?#30452;?#29575; 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ ?#19988;资?#24615;存储器1 存储游标设置,并具有写保护功能 上电?#25351;?#33267;EEMEM设置,刷新时间典型值为300 μs EEMEM重写时间:540 μs(典型值) 电阻容差存储在?#19988;资?#24615;存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多信息,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254?#30452;?#26159;64/256位、四通道、I2C?, 采用?#19988;资?#24615;存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设?#27809;?#35835;,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256?#25509;?#26631;设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动?#25351;?#33267;RDAC寄存器;也可以动态?#25351;?#36825;些设置。在同步或异步通...
发表于 04-18 19:29 ? 0次 阅读
AD5253 四通道、64位、 I2C 、?#19988;资?#24615;存储器、数字电位计

AD5254 四通道、256位、 I2C 、?#19988;资?#24615;存储器、数字电位计

信息优势和特点 四通道、256位?#30452;?#29575; 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ ?#19988;资?#24615;存储器1存储游标设置,并具有写保护功能 上电?#25351;?#20026;EEMEM设置,刷新时间典型值为300 μs EEMEM重写时间:540 μs(典型值) 电阻容差存储在?#19988;资?#24615;存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读/写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多特?#35029;?#35831;参考数据手册产品详情AD5253/AD5254?#30452;?#26159;64/256位、四通道、I2C?, 采用?#19988;资?#24615;存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设?#27809;?#35835;,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256?#25509;?#26631;设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动?#25351;?#33267;RDAC寄存器;也可以动态?#25351;?#36825;些设置。在同步或异步通...
发表于 04-18 19:29 ? 4次 阅读
AD5254 四通道、256位、 I2C 、?#19988;资?#24615;存储器、数字电位计

AD5252 I2C, ?#19988;资?#24615;存储器、双通道、256位数字电位计

信息优势和特点 ?#19988;资?#24615;存储器可保存游标设置 电阻容差存储在?#19988;资?#24615;存储器中 1 k ?, 10 k ?, 50 k ? 100 k ? I2C 兼容型串行接口 游标设?#27809;?#35835;功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电?#27425;?#33267;EEMEM设置,刷新时间小于1 ms ?#19988;资?#24615;存储器写保护 数据保留期限:100年(典型值, TA = 55°C )产品详情AD5252是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有256位?#30452;?#29575;。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。?#22791;?#25913;RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置?#24403;?#23384;在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访?#35797;?#35774;值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄...
发表于 04-18 19:29 ? 36次 阅读
AD5252 I2C, ?#19988;资?#24615;存储器、双通道、256位数字电位计

AD5251 I2C, ?#19988;资?#24615;存储器、双通道、64位数字电位计

信息优势和特点 ?#19988;资?#24615;存储器保存游标设置 电阻容差存储在?#19988;资?#24615;存储器中 1 k ?, 10 k ?, 50 k ? 100 k ? I2C 兼容型串行接口 游标设?#27809;?#35835;功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电?#27425;?#33267;EEMEM设置,刷新时间小于1 ms ?#19988;资?#24615;存储器写保护 数据保持能力:100年(典型值,TA = 55°C )产品详情AD5251是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有64位?#30452;?#29575;。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。?#22791;?#25913;RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置?#24403;?#23384;在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访?#35797;?#35774;值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄存器...
发表于 04-18 19:29 ? 72次 阅读
AD5251 I2C, ?#19988;资?#24615;存储器、双通道、64位数字电位计

AD5235 ?#19988;资?#24615;存储器、双通道1024位数字电位计

信息优势和特点 双通道、1024位?#30452;?#29575; 标称电阻:25 kΩ、250 kΩ 标称电阻容差误差:±8%(最大值) 低温度系数:35 ppm/°C 2.7 V至5 V单电源或±2.5 V双电源 SPI兼容型串行接口 ?#19988;资?#24615;存储器存储游标设置 加电刷新EEMEM设置 永久性存储器写保护 电阻容差储存于EEMEM中 26字节额外?#19988;资?#24615;存储器,用于存储用户定义信息 1M编程周期 典型数据保留期:100年 下载AD5235-EP数据手册 (pdf) 温度?#27573;В?40℃至+125°C 受控制造基线 一个装配/测试厂 一个制造厂 增强型产品变更通知 ?#29616;?#25968;据可应要求提供 V62/11605 DSCC图纸号产品详情AD5235是一款双通道?#19988;资?#24615;存储器1、数控电位计2,拥有1024阶跃?#30452;?#29575;,保证最大低电阻容差误差为±8%。该器件可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增?#24247;姆直?#29575;、固态可靠?#38498;统?#33394;的低温度系数性能。通过SPI?-兼容串行接口,AD5235具有灵活的编程能力,支持多达16种工作模式和调节模式,其中包括暂存编程、存储器存储?#31361;指础?#36882;增/递减、±6 dB/阶跃对数抽头调整和游标设?#27809;?#35835;,同时提供额外的EEMEM1 ,用于存储用户定义信息,如其他元件的存储器数据、查找表、系统标识信息等。...
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AD5235 ?#19988;资?#24615;存储器、双通道1024位数字电位计

AD5231 ?#19988;资?#24615;存储器、1024位数字电位计

信息优势和特点 1024位?#30452;?#29575; ?#19988;资?#24615;存储器保存游标设置 上电时利用EEMEM设置刷新 EEMEM?#25351;?#26102;间:140 μs(典型值) 完全单调性工作 端接电阻:10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永久存储器写保护 游标设?#27809;?#35835;功能 预定义线性递增/递减指令 预定义±6 dB/步对数阶梯式递增/递减指令 SPI?兼容型串行接口 3 V至5 V单电源或±2.5 V双电源供电产品详情AD5231是一款采用?#19988;资?#24615;存储器*的数字控制电位计**,提供1024阶?#30452;?#29575;。它可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增?#24247;姆直?#29575;、固态可靠?#38498;?#36965;控能力。该器件功能丰富,可通过一个标准三线式串行接口进行编程,具有16种工作与调整模式,包括便笺式编程、存储器存储与?#25351;础?#36882;增/递减、±6 dB/步对数阶梯式调整、游标设?#27809;?#35835;,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。在便笺式编程模式下,可以将特定设置直接写入RDAC寄存器,以设置端子W–A与端子W–B之间的电阻。此设置可以存储在EEMEM中,并在系统上电时自动传输至RDAC寄存器。EEMEM内容可以动态?#25351;矗?#25110;者通过外部PR选通脉冲予以?#25351;矗籛P功能则可保护EE...
发表于 04-18 19:28 ? 45次 阅读
AD5231 ?#19988;资?#24615;存储器、1024位数字电位计

CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25128是一个128 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串?#22411;?#35774;接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全?#31354;?#21015;保护。片上ECC(?#26469;?#30721;)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0和1,1) 工业和扩展温度?#27573;?自定时写周期 64字节页写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留< / li> 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8?#27010;蘐DFN,UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 具有永久写保护的附加标识页...
发表于 04-18 19:13 ? 48次 阅读
CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25256是一个256 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串?#22411;?#35774;接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全?#31354;?#21015;保护。片上ECC(?#26469;?#30721;)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压?#27573;? SPI模式(0,0)?#20572;?,1) ) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留 1,000,000编程/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护< / li> - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业和扩展温度?#27573;? 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8?#27010;蘒DFN和TDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:13 ? 46次 阅读
CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串?#22411;?#35774;接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全?#31354;?#21015;保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压?#27573;? SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度?#27573;? PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8?#27010;?#23553;装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:13 ? 48次 阅读
CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25080 / 25160是8-kb / 16-kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为1024x8 / 2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串?#22411;?#35774;接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25080 / 25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全?#31354;?#21015;保护。 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压?#27573;? SPI模式(0,0和1,1) 32字节页写缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度?#27573;?符合RoHS标准的8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8?#27010;蘐DFN,UDFN封装...
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CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器
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