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LED效率下降的原因是什么?会对LED性能造成怎样的影响

电子设计 ? 2019-03-01 09:34 ? 次阅读

LED在低电流(仅几十毫安)下最有效地工作。随着电流的增加,效率逐渐降低,这种现象被称为“效率下降?#34180;?#20986;于实际原因,LED照明行业使用的驱动电流?#23545;?#39640;于效率最佳的驱动电流。 LED制造商热衷于解决这一妥协,但科学家们发现很难确定效率损失的原因。

本文介绍了效率下垂对LED性能的影响,并介绍了两种流行的理论。

光输出的交易效率

由于相当随意的原因,高亮度LED产业已经确定了350 mA的正向电流作为其产品的?#29575;?#26631;准。这种选择的原因主要在于它是1mm2芯片通常消耗1 W的驱动电流(实际耗散通常接近1.25 W)。

在高亮度LED的早期阶段,280 mA的正向电流更为典型,而今天许多芯片的正向电流高于350 mA。然而,280 mA,350 mA和更高电流都不能接近为高亮度LED供电的最有效正向电流。由于效率(通常被称为流明/瓦特或lm/W)引起了业界的兴趣,这似乎令人惊讶。

高亮度LED在几十毫安时达到峰值效率,此后,它?#21363;?#20110;下坡状态。图1显示?#35828;?#20010;LED(加上一对和三个串联设备)的效率和正向电流(ILED)之间的关系。对于单个器件(在这种情况?#29575;荕axim芯片),效率在75 mA时达到70%,在350 mA?#34987;?#24930;下降到59%。

LED效率下降的原因是什么?会对LED性能造成怎样的影响

图1:随着正向电流的增加,LED效率会缓慢下降。

那么为什么高亮度LED部门不建议芯片以最有效的方式运行?原因是虽然它们运行良好,但LED在低正向电流下不能产生足够的光。灯芯必须高得多才能产生有用的输出:350 mA是光输出,效率和寿命之间的良好折衷(将驱动电流增加到高于此水平可能会升高结温,从而导致LED寿命受损)。

LED制造商正在努力了解效率下降的根本原因,以便他们能够在首选工作点提高性能。虽然物理限制可能会阻止效率下降完全消除,但如果超过峰值时的下降速度可以降低,则问题将得到部分缓解。

不幸的是,很难确定究竟发生了什么。

效率下降的原因

科学家们在?#33455;?#36825;个问题时的早期怀疑是,温度升高会影响效率下降。当然,提高LED的结温并不是一件好事,因为它缩短了器件的使用寿命。

?#29575;?#35777;明,热量不是罪魁祸首。图2显示了不同散热器温度下测得的外量子效率(EQE)和光输出功率与正向电流的关系。可以看出,随着温度的升高,所有电流的EQE都会降低,并且在所有温度下都会出现效率下降现象。然而,随着电流增加(即,效率图的斜率更陡),峰值效率在较低温度下更快地降低。

这意味着下垂的幅度实际上随着温度的升高而降低。结果导致科学?#19994;?#20986;结论,虽然温度升高会显着降低整体效率,但温度不会升高 - 因此,不是效率下降的根本原因。

LED效率下降的原因是什么?会对LED性能造成怎样的影响

图2:GaInN多量子阱LED在25°至150°C的散热片温度下的外量子效率与电流的关系。

我们需要超越温度来寻找问题的根源。

不幸的是,虽然温度已经消除,但没有明确的选择。然而,有两个有希望的理论:电子泄漏和俄歇复合。

由于LED效率稳固地存在于量子物理领域,因此理论并不容易理解。例如,最近的一篇学术论文states指出,在LED的多量子阱?#24615;?#21306;和电子阻挡层中的较高驱动电流下发生的极化场增强了注入电子泄漏到p型GaN层中,导致效率下降。简而言之,这意味着与较高电流相关的物理效应将电子推出复合区,因此它们永远不会有机会遇到空穴并释放光子。

在一个相关的理论中,其他人声称效率下降的来源涉及过多的隧穿电流,降低了载流子注入效率.2换句话说,许多电子首先不会进入复合区。

另一种方法声称理解效率下垂的关键是一个称为直接俄歇重组的过程。这通常涉及电子和空穴复?#24076;?#32780;不是发射光子,能量被转?#39057;降?#19977;载体。由于该过程涉及三个载流子,因此在较高电流降低效率时常见的高载流子密度下问题会变得更糟。但计算表明,这种现象无法解释所有观察?#38477;?#25928;率下降。但是,另一组?#33455;?#20154;员现在声称直接和间接俄歇重组的组合确实使得总和增加了。该过程又复杂,并?#30097;?#21450;电子 - 声子耦合和合金散射(或库仑散射)的带电缺陷(声子是LED晶格振动的量子描述)。电子 - 声子耦合在氮化物半导体中特别强。发生合金散射是因为InGaN的晶体结构不均匀。将两种?#38382;降?#20420;歇复合加在一起近似于实验观察?#38477;?#25928;率降低。

最小化下垂量

在没有对效率下垂原因的明确答案的情况下,设计工程师需要仔细选择LED和操作?#38382;?#20197;尽量减少其影响。从理论上讲,这意味着要特别密切关注设备的最大效率?#32479;?#20986;该点的效率下垂曲线的梯度。斜率越?#24120;?#38543;着正向驱动电流的增加,效率?#38477;汀?#28982;而,实际上这种信息很难获得,因为制造商倾向于关注特定测试电流下的单个(lm/W)数字,而不是在整个电流?#27573;?#20869;提供信息。例如,Cree最近发布了其XLamp MT-G LED(图3),该LED具有EasyWhite LED,可满足35瓦和50瓦卤素改装灯的高流明,小尺寸要求。该器件采用一系列LED,总输出功率为1265流明,效率为75流明/瓦,1.1 A显示产品。

LED效率下降的原因是什么?会对LED性能造成怎样的影响

图3:Cree的XLamp MT-G LED。

首尔半导体提供Z-Power系列LED,据称适用于一般照明应用,定制设计解决方案和汽车大型LCD背光源。该器件在350 mA的正向电流?#29575;?#20986;100 lm,效率约为110 lm/W.此外,东芝的TL19W01系列高光通量白光LED为设计工程师提供了另一种照明应用选择。这些器件在350 mA的正向电流下提供110 lm,效率为111 lm/W.

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CREE为什么卖掉照明业务

长方集团宣布出资3.1亿元设立南昌项目公司 将主营LED照明

3月18日晚间,长方集团发布公告称,公司先以机器设备出资31,224.49万元设立南昌项目公司,持有....
发表于 03-19 10:40 ? 67次 阅读
长方集团宣布出资3.1亿元设立南昌项目公司 将主营LED照明

TrueSTUDIO的工程建立与ST-IINK的配置手册的详细资料免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是TrueSTUDIO的工程建立与ST-IINK的配置手册的详细资料免费下....
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HOLTEK HT1621 LCD驱动器的中文资料免费下载

HT1621 是 128 点 内存映象和多功能的 LCD 驱动器 HT1621 的软件配置特性使它适....
发表于 03-19 08:00 ? 38次 阅读
HOLTEK HT1621 LCD驱动器的中文资料免费下载

一款仅有3mm×6mm大小的类脑光驱动芯片

长久以来,科学家们对于开发模拟人类大脑神经元连接方?#38477;?#33455;片具有极高的兴趣。有?#33455;?#26174;示,大脑中数以万亿....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 03-18 18:01 ? 820次 阅读
一款仅有3mm×6mm大小的类脑光驱动芯片

TOF相机优缺点分析及其应用领域

作为TOF的相机的核?#27169;琓OF芯片每一个像元对入射光往返相机与物体之间的相位?#30452;?#36827;行纪录。?#20040;?#24863;器结....
的头像 传感器?#38469;? 发表于 03-18 16:17 ? 223次 阅读
TOF相机优缺点分析及其应用领域

苹果Mac版ARM芯片跑分的情况

从跑分成绩上看,两款处理器的单核跑分?#30452;?#26159;7335和6912,多核成绩?#30452;?#26159;20580和24240。....
的头像 科技美学 发表于 03-18 15:47 ? 331次 阅读
苹果Mac版ARM芯片跑分的情况

集成电路设计是什么呢?专?#30340;?#23398;要培训但高薪

集成电路设计,亦可称之为超大规模集成电路设计,是指以集成电路、超大规模集成电路为目标的设计流程。集成....
的头像 半导体行业联盟 发表于 03-18 14:09 ? 315次 阅读
集成电路设计是什么呢?专?#30340;?#23398;要培训但高薪

HSM1602H-Y LCM模块规范的数据免费下载

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发表于 03-18 08:00 ? 9次 阅读
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MPU9250陀螺仪QFN封装的复合芯片中文说明书免费下载

MPU9250是一个 QFN封装的复合芯片( MCM),它由 2 部分组成。一组是 3 轴加速度还有....
发表于 03-18 08:00 ? 34次 阅读
MPU9250陀螺仪QFN封装的复合芯片中文说明书免费下载

如何根据DIY一个示波器来学习电路

我是一个闲不住的人,这样的日子很难熬,想去电子市场逛逛,但学校离市区有三十多公里路,终于无聊到周末了....
发表于 03-18 08:00 ? 53次 阅读
如何根据DIY一个示波器来学习电路

ADATE304 200 MHz双通道集成DCL,提供电平设置DAC、单引脚PMU和单芯片(Per Chip) VHH功能

和特点 驱动器3电平驱动器,提供高阻态模式和内置箝位电路精密调整的输出电阻低泄漏模式:<10 nA(典型值)电压?#27573;В?2.0 V至+6.0 V脉冲宽带:2.4 ns(最小值),2 V端接比较器窗口和差?#30452;?#36739;器输入等效带宽:500 MHz负载最大±12 mA电流能力单引脚PMU驱动电压?#27573;В?2.0 V至+6.0 V5种电流?#27573;В?2 mA、2 mA、200 μA、20 μA、2 μA电平14位DAC提供DCL电平校准的INL典型值小于±5 mV16位DAC提供PMU电平FV模式下校准的INL线性度典型值小于±1.5 mVHVOUT输出缓冲器输出?#27573;В? V至13.5 V84引脚、9 mm × 9 mm倒装芯片BGA封装 功?#27169;好?#36890;道900 mW(空载) 产品详情 ADATE304是一款完整的单芯片解决方案,用于在ATE应用中执行驱动器、比较器和?#24615;?#36127;载(DCL)、单引脚(Per Pin) PMU、直流电?#38477;?#24341;脚电子功能。它还内置一个HVOUT驱动器和VHH缓冲器,能够产生最高13.5 V的电压。驱动器提供三种?#24615;?#29366;态:数据高电?#38454;?#24577;、数据低电?#38454;?#24577;?#25512;?#38480;状态,以及一种?#31181;?#29366;态。?#31181;?#29366;态与集成动态箝位一起使用时,有利于实现高速?#24615;?#31471;接。通过调整正负电源电压,ADATE304支持两种输出电压?#27573;В?..
发表于 02-22 12:31 ? 33次 阅读
ADATE304 200 MHz双通道集成DCL,提供电平设置DAC、单引脚PMU和单芯片(Per Chip) VHH功能

LTC2942-1 具内部检测电阻器和温度/电压测量功能的 1A 电池电量测量芯片

和特点 可指示累积的电池充电和放电电量 SMBus/I2C 接口 集成 50mΩ 高端检测电阻器 ±1A 检测电流?#27573;? 高准确度模拟积分 ADC 负责测量电池电压和温度 集成化温度传感器 1% 电压?#32479;?#30005;准确度 可配置报警输出/充电完成输入 2.7V 至 5.5V 工作?#27573;? 静态电流小于 100μA 小外形 6 引脚 2mm x 3mm DFN 封装 产品详情 LTC?2942-1 可测量手持式 PC 和便携式产品应用中的电池充电状态、电池电压和芯片温度。其工作?#27573;?#38750;常适合于单节锂离子电池。一个精准的库仑计?#31185;?#36127;责对流经位于电池正端子和负载或充电器之间的一个检测电阻器的电流进行积?#34935;?#31639;。电池电压和片内温度利用一个内部 14 位无?#26144;?#22686;量累加 (No Latency ΔΣ?) ADC 来测量。所测量的三种物理?#38382;?#20540; (电荷、电压和温度) 被存储于可通过板上 SMBus/I2C 接口进行存取的内部寄存器中。 LTC2942-1 具有针对所有三种测量物理量的可编程高门限和低门限。如果超过了某个编程门限,则该器件将采用 SMBus 报警协议或通过在内部状态寄存器中设定一个标?#25250;创?#36865;一个报警信号。 集成检测电阻 LTC2942 否 LTC2942-1 是 应用 低功率手持式产品 蜂窝电话 M...
发表于 02-22 12:23 ? 0次 阅读
LTC2942-1 具内部检测电阻器和温度/电压测量功能的 1A 电池电量测量芯片

LTC3450 用于小型 TFT-LCD 显示器的三输出电源

和特点 可生成三种电压:????? 5.1V/10μA????? –5V,–10V 或 –15V/500μA????? 10V 或 15V/500mA 效率高于 90% 低输出纹波:小于 5mVP-P 组件高度仅 1mm 的完整解决方案 受控上电?#21028;潁篈VDD / VGL / VGH 所有输出在停机状态下均被断?#30828;?#33258;动放电 低噪声固定频率操作 用于在消隐模式中获得高效率的降频输入 超低静态电流:在扫描模式中为 75μA (典型值) 采用 3mm×3mm 16 引脚 QFN 封装 产品详情 LTC?3450 是一款用于小型薄膜晶体管 (TFT) 液晶显示 (LCD) 屏的完整功率转换器解决方案。该器件可采用单节锂离子电池、两节至三节碱性电池输入或任何在 1.5V 至 4.6V 之间的电压源来运作。   这款同步升压?#22949;?#25442;器可生成一个低噪声、高效率的 5.1V、10mA 电源。内部充电泵用于生成 10V、15V 和 –5V、–10V 或 –15V 电压。对输出?#21028;?#36827;行内部控制以确保 LCD 屏的正确初始化。   一个主控停机输入将静态电流减小至2μA以下,并对每个输出进行快速放电以实现 LCD 屏的迅速关断。LTC3450采用一种扁?#38477;?最大高度仅 0.8mm) 3mm×3mm 16 引脚 QFN 封装,从而极大地减小了解决方案的高度和...
发表于 02-22 12:19 ? 31次 阅读
LTC3450 用于小型 TFT-LCD 显示器的三输出电源

HMC655-DIE 固定、6 dB无源衰减器芯片,DC - 50 GHz

和特点 宽带宽: DC - 50 GHz 9款衰减器产品:固定电平:0、2、3、4、6、10、15和20 dB 功率处理: +25 dBm HMC651和HMC658裸片尺寸: 0.57 x 0.45 x 0.1 mm HMC650, HMC652, HMC653, HMC654,?HMC655, HMC656 和HMC657裸片尺寸: 0.42 x 0.45 x 0.1 mm产品详情 HMC650/651/652/653/654/655/656/657/658是一系列宽带固定值50 Ω匹配衰减器芯片,提供0、2、3、4、6、10、15和20 dB相对衰减电平。 这些无源旋转器和衰减器非常适合需要极端平坦衰减和出色的VSWR与频率关系的微带、混合及多芯片模块应用。 宽带衰减器采用低电感片内过孔,无需额外的接地连接。 HMC650至HMC658背面?#24179;穡?#36866;合共晶或?#36153;?#26641;脂芯片贴装。 所有9款产品均可通过相应的产品型号单独购买,或购买HMC-DK006固定衰减器芯片设计套件(含10件)。应用 光纤产品 微波无线电 军事和太空混合器件 测试与测量 科研仪器 RF/微波电路原型制作 方框图...
发表于 02-22 12:18 ? 16次 阅读
HMC655-DIE 固定、6 dB无源衰减器芯片,DC - 50 GHz

HMC365-DIE InGaP HBT 4?#21046;?#33455;片,DC - 13 GHz

和特点 超低SSB相位噪声: -151 dBc/Hz 宽带宽 输出功率: 5 dBm 单直流电源: +5V 小尺寸: 1.30 x 0.69 x 0.1 mm 产品详情 HMC365是低噪声的4?#21046;?#38745;态?#21046;?#22120;,使用InGaP GaAs HBT?#38469;酰?#25317;有1.30 x 0.69 mm的小巧尺寸。此器件在DC(使用方波输入)至13 GHz的输入频率下工作,使用+5V DC单电源。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-151 dBc/Hz,有助于用户保持良好的?#20302;?#22122;声性能。 应用 卫星通信?#20302;? 光纤产品 点对点无线电 点对多点无线电 VSAT方框图...
发表于 02-22 12:17 ? 7次 阅读
HMC365-DIE InGaP HBT 4?#21046;?#33455;片,DC - 13 GHz

HMC-ABH209 中等功率放大器芯片,55 - 65 GHz

和特点 输出IP3: +25 dBm P1dB: +16 dBm 增益: 13 dB 电源电压: +5V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 2.2 x 1.22 x 0.1 mm 产品详情 THMC-ABH209是一款高动态?#27573;А?#20004;级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,工作频率?#27573;?#20026;55至65 GHz。 HMCABH209提供13 dB增益,采用+5V电源电压?#26412;?#26377;+16 dBm输出功率(1dB压缩)。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器已完全钝化以实现可靠操作。 /p>HMC-ABH209 GaAs HEMT MMIC中等功率放大器兼容传统的芯片贴装方式,以及热压缩和热超声线焊工艺,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境?#29575;?#29992;RF探头接触测得。 应用 ?#22363;?高容量链路 无线LAN网桥 军事和太空 方框图...
发表于 02-22 12:15 ? 0次 阅读
HMC-ABH209 中等功率放大器芯片,55 - 65 GHz

HMC-AUH320 中等功率放大器芯片,71 - 86 GHz

和特点 增益: 16 dB (76 GHz) P1dB: +15 dBm 电源电压: +4V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 2.20 x 0.87 x 0.1 mm 产品详情 HMC-AUH320是一款高动态?#27573;?#30340;四级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,在71至86 GHz的频率下工作。 HMC-AUH320在74 GHz频率下提供16 dB的增益,在1 dB压缩点提供+15 dBm的输出功率,采用+4V电源电压。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器器件已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-AUH320 GaAs HEMT MMIC中等功率放大器可兼容常规的芯片贴装方法,以及热压缩和热超声线?#31119;?#38750;常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境?#29575;?#29992;RF探头接触测得。 应用 ?#22363;?高容量链路 无线LAN网桥 汽车雷达 军事和太空 E波段通信?#20302;?方框图...
发表于 02-22 12:15 ? 0次 阅读
HMC-AUH320 中等功率放大器芯片,71 - 86 GHz

HMC562 宽带驱动放大器芯片,2 - 35 GHz

和特点 P1dB输出功率: +12 dBm 增益: 12.5 dB 输出IP3: +19 dBm 电源电压: +8V (80 mA) 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸:3.12 x 1.42 x 0.1 mm 产品详情 HMC562是一款GaAs MMIC PHEMT分?#38469;?#39537;动放大器裸片,在2至35 GHz的频率下工作。 该放大器提供12.5 dB增益,+27 dBm输出IP3和12 dBm输出功率(1 dB增益压缩),功耗为80 mA(采用+8V电源)。 HMC562非常适合EW、ECM和雷达驱动放大器应用。 HMC562放大器I/O是隔直的,内?#31185;?#37197;50 Ω阻抗,方便集成到多芯片模块(MCM)。 所有数据均由通过最短0.31mm (12 mil)的两条0.075mm (3 mil)线?#22797;?#36830;接的芯片获取。应用 军事和太空 测试仪器仪表 光纤产品 方框图...
发表于 02-22 12:15 ? 0次 阅读
HMC562 宽带驱动放大器芯片,2 - 35 GHz

HMC-ALH376 低噪声放大器芯片,35 - 45 GHz

和特点 噪声系数: 2 dB 增益: 16 dB (40 GHz) P1dB输出功率: +6 dBm 电源电压: +4V (87 mA) 裸片尺寸: 2.7 x 1.44 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH376是一款GaAs MMIC HEMT三级、?#20113;?#32622;、低噪声放大器芯片,工作频率?#27573;?#20026;35至45 GHz。该放大器提供16 dB增益、2 dB噪声系数和+6 dBm输出功率(1 dB增益压缩),采用+4V单电源时功耗仅为87 mA。由于尺寸较小(3.9 mm2),这款?#20113;?#32622;LNA适合集成到混合组件或多芯片模块(MCM)中。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 测试设备和传感器 军事和太空 方框图...
发表于 02-22 12:14 ? 0次 阅读
HMC-ALH376 低噪声放大器芯片,35 - 45 GHz

HMC519-DIE GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器芯片,18 - 32 GHz

和特点 噪声系数: 2.8 dB 增益: 15 dB OIP3: 23 dBm 单电源: +3V (65 mA) 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 2.27 x 1.32 x 0.1 mm 产品详情 HMC519是一款高动态?#27573;aAs PHEMT MMIC低噪声放大器芯片,工作频率?#27573;?#20026;18至32 GHz。 HMC519提供15 dB小信号增益、2.8 dB噪声系数及高于23 dBm的输出IP3。 由于尺寸较小,该芯片可轻松集成到混合组件或多芯片模块(MCM)中。 所有数据均采用50 ohm测试?#33455;?#20013;的芯片测得,该?#33455;?#36890;过直径为0.075 mm (3 mil)、最小长度0.31 mm (12 mil)的焊线连接。 也可用两根直径为0.025mm (1 mil)的焊线进行RFIN和RFOUT连接。 应用 点对点无线电 点对多点无线电和VSAT 测试设备和传感器 军事和太空 方框图...
发表于 02-22 12:14 ? 21次 阅读
HMC519-DIE GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器芯片,18 - 32 GHz

HMC-ALH508 低噪声放大器芯片,71 - 86 GHz

和特点 噪声系数: <5 dB P1dB: +7 dBm 增益: 13 dB 电源电压: +2.4V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 3.2 x 1.6 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH508是一款三级GaAs HEMT MMIC低噪声放大器(LNA),工作频率?#27573;?#20026;71至86 GHz。 HMC-ALH508具有13 dB小信号增益、4.5 dB噪声系数和+7 dBm输出功率(1 dB压缩),?#30452;?#37319;用2.1V和2.4V两个电源电压。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器已完全钝化以实现可靠操作。 这款多功能LNA兼容传统的芯片贴装方式以及热压缩和热超声线焊工艺,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境?#29575;?#29992;RF探头接触测得。 应用 ?#22363;?高容量链路 无线局域网(LAN) 汽车雷达 军事和太空 E波段通信?#20302;?方框图...
发表于 02-22 12:13 ? 0次 阅读
HMC-ALH508 低噪声放大器芯片,71 - 86 GHz

AD847 高速、低功耗、单芯片运算放大器

和特点 出众的性能高单位增益带宽:50 MHz低电源电流:5.3 mA高压摆率:300 V/μs出色的视频特性驱动任?#31283;?#24615;负载快速的0.1%建立时间(10 V步进):65 ns出色的直流性能5.5 V/mV高开环增益(PLOAD = 1 k?#31119;?#20302;输入失调电压:0.5 mV额定工作电压:±5 V和±15 V提供多种选择塑料DIP和SOIC封装Cerdip封装裸片形式MIL-STD-883B工?#31449;?#24102;和卷盘(EIA-481A标准)提供双通道版本:AD827(8引脚)LM6361的增强替代产品 产品详情 AD847代表高速放大器的一个?#40644;疲?#23454;现了低成本、低功耗的出众交流和直流性能。出色的直流性能表现在它±5 V的规格值,包括3500 V/V的开环增益(500Ω负载)和0.5 mV的低输入失调电压。共模?#31181;?#26368;低为78 dB。输出电压摆幅为±3 V(负载低至150?#31119;DI公司还提供其他超过30种高速放大器,从低噪声AD829(1.7nV/√Hz)到终极的视频放大器AD811(差分增益0.01%,差分相位0.01°)。 方框图...
发表于 02-22 12:12 ? 0次 阅读
AD847 高速、低功耗、单芯片运算放大器

HMC-ALH216 低噪声放大器芯片,14 - 27 GHz

和特点 噪声系数: 2.5 dB (20 GHz) 增益: 18 dB P1dB输出功率: +14 dBm 电源电压: +4V (90 mA) 裸片尺寸: 2.25 x 1.58 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH216是一款GaAs MMIC HEMT宽带低噪声放大器芯片,工作频率?#27573;?#20026;14至27 GHz。该放大器提供18 dB增益、2.5 dB噪声系数和+14 dBm输出功率(1 dB增益压缩),采用+4V电源电压时功耗仅为90 mA。由于尺寸较小,HMC-ALH216放大器适合集成到多芯片模块(MCM)中。应用 点对点无线电 点对多点无线电 军事和太空 测试仪器仪表 方框图...
发表于 02-22 12:08 ? 0次 阅读
HMC-ALH216 低噪声放大器芯片,14 - 27 GHz

HMC396 InGaP HBT增益模块放大器芯片,DC - 8 GHz

和特点 增益: 12 dB P1dB输出功率: +14 dBm 稳定的温度增益 50 Ohm I/O 小尺寸: 0.38 x 0.58 x 0.1 mm 产品详情 HMC396芯片是一款GaAs InGaP异?#24335;?#21452;极性晶体管(HBT)增益模块MMIC DC至8 GHz放大器。 此款放大器可用作级联50 Ohm增益级或用于驱动输出功率高达+16 dBm的HMC混频器LO。 HMC396提供12 dB的增益,+30 dBm的输出IP3,同时仅需+5V电源提供56 mA电流。 所用的达林顿反馈对可降低对正常工艺变化的敏感度,提供出色的温度增益稳定性,只需极少的外?#31185;?#32622;元件。 由于尺寸较小(0.22mm2),HMC396可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 所有数据均采用50 ?测试?#33455;?#20013;的芯片测得,该?#33455;?#36890;过直径为0.025mm (1 mil)、最小长度为0.5mm (20 mils)的焊线连接。 应用 微波和VSAT无线电 测试设备 军用EW、ECM、C3I 空间电信方框图...
发表于 02-22 12:07 ? 20次 阅读
HMC396 InGaP HBT增益模块放大器芯片,DC - 8 GHz

HMC-APH196 中等功率放大器芯片,17 - 30 GHz

和特点 输出IP3: +31 dBm P1dB: +22 dBm 增益: 20 dB (20 GHz) 电源电压: +4.5V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 3.3 x 1.95 x 0.1 mm 产品详情 HMC-APH196是一款两级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,工作频率?#27573;?#20026;17至30 GHz。 HMC-APH196在20 GHz下提供20 dB增益,采用+4.5V电源电压?#26412;?#26377;+22 dBm输出功率(1 dB压缩)。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-APH196 GaAs HEMT MMIC中等功率放大器兼容传统的芯片贴装方式,以及热压缩和热超声线焊工艺,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境?#29575;?#29992;RF探头接触测得。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 VSAT 军事和太空 方框图...
发表于 02-22 12:07 ? 0次 阅读
HMC-APH196 中等功率放大器芯片,17 - 30 GHz

HMC-ABH241 中等功率放大器芯片,50 - 66 GHz

和特点 输出IP3: +25 dBm P1dB: +17 dBm 增益: 24 dB 电源电压: +5V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 3.2 x 1.42 x 0.1 mm 产品详情 THMC-ABH241是一款四级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,工作频率?#27573;?#20026;50至66 GHz。 HMC-ABH241提供24 dB增益,采用+5V电源电压?#26412;?#26377;+17 dBm输出功率(1dB压缩)。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-ABH241 GaAs HEMT MMIC中等功率放大器兼容传统的芯片贴装方式,以及热压缩和热超声线焊工艺,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境?#29575;?#29992;RF探头接触测得。 应用 ?#22363;?高容量链路 无线LAN网桥 军事和太空 方框图...
发表于 02-22 12:07 ? 0次 阅读
HMC-ABH241 中等功率放大器芯片,50 - 66 GHz

HMC-MDB277 DBL-BAL混频器芯片,70 - 90 GHz

和特点 宽IF带宽: DC - 18 GHz 无源双平衡拓扑结构 LO输入功率: +14 dBm 裸片尺寸: 1.55 x 1.4 x 0.1 mm 产品详情 HMC-MDB277是一款无源双平衡MMIC混频器,采用GaAs异?#24335;?#21452;极性晶体管(HBT)肖特基二极管?#38469;酰?#21487;用作上变频器或下变频器。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,Shottky器件已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-MDB277双平衡混频器可兼容常规的芯片贴装方法,以及热压缩和热超声线?#31119;?#38750;常适合MCM和混合微电路应用。 这款紧凑型MMIC可以取代混合型双平衡式混频器,而且体积要小得多,性能更加稳定。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境?#29575;?#29992;RF探头接触测得。 应用 ?#22363;?高容量无线电 FCC E波段通信?#20302;? 汽车雷达 传感器 测?#38498;?#27979;量设备 方框图...
发表于 02-22 12:07 ? 17次 阅读
HMC-MDB277 DBL-BAL混频器芯片,70 - 90 GHz

ADM691A 微处理器电源监控器,内置备用电池切换、可调?#27425;恢?#26399;与可调看门?#20998;?#26399;、芯片使能信号、看门狗、备用电池功能和4.65V阈值电压、低VCC状态输出、250MA输出电流特性

和特点 低功耗 精密电压监控器 ADM800L/M容差:±2% ?#27425;?#26102;间?#26144;伲?00 ms或可调 待机电流:1 μA 备用电池电源自动切换 芯片使能信号快速片内选通 同时提供TSSOP封装(ADM691A)产品详情 ADM691A/ADM693A/ADM800L/ADM800M系列监控电路均为完整的单芯片解决方案,可实现微处理器?#20302;?#20013;的电源监控和电池控制功能。这些功能包括微处理器?#27425;弧?#22791;用电池切换、看门狗定时器、CMOS RAM写保护和电源?#25910;?#35686;告。该系列产品是MAX691A/93A/800M系列的升级产品。所有器件均提供16引脚DIP和SO封装。ADM691A同时提供节省空间的TSSOP封装。主要提供下列功能:启动、关断和掉电情况下的上电?#27425;?#36755;出。即使VCC低至1 V,电路仍然可以工作。CMOS RAM、CMOS微处理器或其它低功耗逻辑的备用电池切换。如果可选的看门狗定时器在指定时间内未切换,则提供?#27425;?#33033;冲。1.25 V阈?#23548;?#27874;器,用于电源?#25910;?#35686;告、低电池电量检测或+5 V以外电源的监控。 方框图...
发表于 02-22 12:06 ? 0次 阅读
ADM691A 微处理器电源监控器,内置备用电池切换、可调?#27425;恢?#26399;与可调看门?#20998;?#26399;、芯片使能信号、看门狗、备用电池功能和4.65V阈值电压、低VCC状态输出、250MA输出电流特性

ADE5169 单相电能计量IC,集成8052 MCU、RTC和LCD驱动器

和特点 宽电源电压?#27573;В?.4 V至3.7 V 调节输入与电池输入之间内?#30431;?#26497;性开关 超低功耗的省电模式(PSM) 全速运转: 4.4 mA至1.6 mA(取决于PLL时钟) 电池模式:3.3 mA至400 μA(取决于PLL时钟) 休眠模式:实时时钟(RTC)模式:1.7 μARTC和LCD模式:38 μA(LCD电荷泵使能) 基准电压:1.2 V ± 0.1%(10 ppm/°C漂移) 64引脚薄型四方扁平封装(LQFP),符合RoHS标准 见数据表的附加功能 产品详情 ADE5166/ADE5169/ADE5566/ADE55691将ADI公司电能(ADE)计量IC模拟前端和固定功能DSP解决方案与增强型8052 MCU内核、完整RTC、LCD驱动器和所有外设集成为一体,提供一种带液晶显示屏的电表。ADE测量内核包括有功、无功和视在功率计算以及电压和电流均方根值测量。利用内置的电能标量可以访问这些信息,以便进行计费。电能计量DSP包括许多电力线路监控功能(如SAG、峰值和零交?#38477;齲?#21487;简化电表设计。微处理器功能包括单周期8052内核、带备用电源引脚的完整RTC、SPI或I2C?接口以及2个独立的UART接口。ADE内核提供直接可用的信息,降低了对程序...
发表于 02-22 12:01 ? 25次 阅读
ADE5169 单相电能计量IC,集成8052 MCU、RTC和LCD驱动器

MAT14 匹配单芯片四通道晶体管

和特点 低失调电压:400 μV(最大值) 高电流增益:300(最小值) 出色的电流增益匹配度:4%(最大值) 低电压噪声密度(100 Hz、1 mA):3 nV/√Hz(最大值) 出色的对数一致性:体电阻 rBE = 0.6 Ω (最大值) 所?#33455;?#20307;管保证匹配产品详情 MAT14是一款四通道单芯片NPN型晶体管,具有出色的?#38382;?#21305;配性能,适合精密放大器和非线性电路应用。MAT14的性能特征包括:在很宽的集电极电流?#27573;?#20869;提供高增益(最小300)、低噪声(在100 Hz、IC = 1 mA条件下最大值为3 nV/√Hz)以及出色的对数一致性。失调电压典型值低至100 μV,精密电流增益匹配度可达4%?#38405;凇AT14的每个晶体管均经过独立测试,符合数据手册性能规格。为使?#38382;?#21305;配(失调电压、输入失调电流和增益匹配),双晶体管组?#29616;?#30340;每个晶体管均经过验证,达到了规定的限制要求。在25°C的环境温度和工业温?#30830;段?#20869;保证器件性能。匹配?#38382;?#30340;长度稳定性由各晶体管基极-发射极结上的保护二极管保证。这些二极管能够防止反向偏置基极-发射极电流导致β?#25512;?#37197;特性下降。MAT14的出色对数一致性和精确匹配特性使它非常适合用于对数和反对数电路。MAT14是需要低噪声和高增益的应用的理想选...
发表于 02-22 12:01 ? 26次 阅读
MAT14 匹配单芯片四通道晶体管
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